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Foto Mfr. Teil # Lagerbestand Preis Menge Datenblatt Packaging Series ProductStatus TransistorType Frequency Gain Voltage-Test CurrentRating(Amps) NoiseFigure Current-Test Power-Output Voltage-Rated
CLF1G0035S-100P

CLF1G0035S-100P

CLF1G0035S-100 - 100W BROADBAND

Ampleon USA Inc.

2884 277.05
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CLF1G0035S-100P

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - -
MRFE6VP8600HR5

MRFE6VP8600HR5

LDMOS BROADBAND RF POWER TRANSIS

NXP Semiconductors

640 286.64
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Bulk - Obsolete LDMOS (Dual), Common Source 470MHz ~ 860MHz 19.3dB 50 V 20µA - 1.4 A 600W 130 V
MRF6V14300HSR5

MRF6V14300HSR5

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Freescale Semiconductor

387 424.96
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MRF6V14300HSR5

Datenblatt

Bulk - Active LDMOS 1.4GHz 18dB 50 V - - 150 mA 330W 100 V
AFV10700HR5

AFV10700HR5

RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4

NXP USA Inc.

2911 556.04
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AFV10700HR5

Datenblatt

Bulk - Active LDMOS (Dual) 1.03GHz ~ 1.09GHz 19.2dB 50 V 1µA - 100 mA 770W 105 V
AFV10700HR5178

AFV10700HR5178

AFV10700HR5 - AIRFAST RF POWER L

NXP Semiconductors

3862 496.23
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AFV10700HR5178

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - -
AFV10700HSR5178

AFV10700HSR5178

AFV10700HSR5 - AIRFAST RF POWER

NXP Semiconductors

2046 497.38
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AFV10700HSR5178

Datenblatt

Bulk * Active - - - - - - - - -
MMRF1006HR5

MMRF1006HR5

RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Freescale Semiconductor

2290 543.12
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MMRF1006HR5

Datenblatt

Bulk - Active LDMOS 450MHz 20dB 50 V - - 150 mA 1000W 120 V
BLA6H0912-500112

BLA6H0912-500112

BLA6H0912-500 - LDMOS AVIONICS R

NXP USA Inc.

2264 605.64
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BLA6H0912-500112

Datenblatt

Tray - Not For New Designs LDMOS 960MHz ~ 1.22GHz 17dB 50 V 54A - 100 mA 450W 100 V
MWT-7F

MWT-7F

MED POWER GAAS MESFET

Microwave Technology Inc.

2646 42.69
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MWT-7F

Datenblatt

Case - Active MESFET 500MHz ~ 26GHz 8dB 4 V 85mA 2dB @ 12GHz 85 mA 21dBm 6 V
BLF6G10L-260PRN:11

BLF6G10L-260PRN:11

RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A

Ampleon USA Inc.

2104 0.00
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BLF6G10L-260PRN:11

Datenblatt

Tape & Reel (TR) - Obsolete LDMOS (Dual), Common Source 917.5MHz ~ 962.5MHz 22dB 28 V 64A - 1.8 A 40W 65 V
BLF6G10L-260PRN,11

BLF6G10L-260PRN,11

RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A

Ampleon USA Inc.

2089 0.00
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BLF6G10L-260PRN,11

Datenblatt

Tray - Obsolete LDMOS (Dual), Common Source 917.5MHz ~ 962.5MHz 22dB 28 V 64A - 1.8 A 40W 65 V
BLF6G38LS-100,112

BLF6G38LS-100,112

RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502B

Ampleon USA Inc.

2135 0.00
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BLF6G38LS-100,112

Datenblatt

Tray - Obsolete LDMOS 3.4GHz ~ 3.6GHz 13dB 28 V 34A - 1.05 A 18.5W 65 V
BLF404,115

BLF404,115

RF FET NCHA 40V 11.5DB SOT409A

Ampleon USA Inc.

2407 0.00
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BLF404,115

Datenblatt

Tape & Reel (TR) - Obsolete N-Channel 500MHz 11.5dB 12.5 V 1.5A - 50 mA 4W 40 V
BF1212WR,115

BF1212WR,115

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R

NXP USA Inc.

3631 0.00
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BF1212WR,115

Datenblatt

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Obsolete N-Channel Dual Gate 400MHz 30dB 5 V 30mA 0.9dB 12 mA - 6 V
BLF2425M9LS30U

BLF2425M9LS30U

RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B

Ampleon USA Inc.

2828 95.40
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BLF2425M9LS30U

Datenblatt

Tray - Active LDMOS 2.45GHz 18.5dB 32 V - - 20 mA 30W 65 V
BLF188XRSU

BLF188XRSU

RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B

Ampleon USA Inc.

3816 199.35
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BLF188XRSU

Datenblatt

Tray - Active LDMOS (Dual), Common Source 108MHz 24.4dB 50 V - - 40 mA 1400W 135 V
BLF647PS,112

BLF647PS,112

RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B

Ampleon USA Inc.

2437 217.50
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BLF647PS,112

Datenblatt

Tray - Active LDMOS (Dual), Common Source 1.3GHz 17.5dB 32 V - - 100 mA 200W 65 V
BLF178XR,112

BLF178XR,112

RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A

Ampleon USA Inc.

3332 234.78
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BLF178XR,112

Datenblatt

Tray - Active LDMOS (Dual), Common Source 108MHz 28dB 50 V - - 40 mA 1400W 110 V
BLM8G0710S-15PBGY

BLM8G0710S-15PBGY

RF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122

Ampleon USA Inc.

100 30.09
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BLM8G0710S-15PBGY

Datenblatt

Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) - Active LDMOS (Dual) 957.5MHz 36.1dB 28 V - - 15 mA 1.5W 65 V
PD57018S-E

PD57018S-E

FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

STMicroelectronics

3856 30.36
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PD57018S-E

Datenblatt

Tube - Active LDMOS 945MHz 16.5dB 28 V 2.5A - 100 mA 18W 65 V
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